市場反彈之際，全球存儲芯片股成為先鋒。
隔夜，美股存儲巨頭閃迪暴漲近 12%，股價創(chuàng)下了歷史新高；今天，韓國 SK 海力士暴漲逾 7%，首次站上 110 萬韓元關(guān)口。
這股熱潮也順利傳導(dǎo) A 股，存儲芯片板塊出現(xiàn)多股漲停，有個股盤中創(chuàng)歷史新高。
其中，半導(dǎo)體設(shè)備 ETF 易方達(dá) ( 159558 ) 今日上漲 3.27%，近 5 日漲幅 11.9%。
01 業(yè)績驗證
持續(xù)火熱的存儲芯片漲價潮，在業(yè)績期得到了驗證。
根據(jù)相關(guān)上市企業(yè)披露的數(shù)據(jù)，存儲分銷龍頭香農(nóng)芯創(chuàng)預(yù)計 2026 年 Q1 歸母凈利潤 11.4 億至 14.8 億元，同比增長 6714% 至 8747%，一個季度的盈利就達(dá)到 2025 年全年的兩倍還多，創(chuàng)下 A 股一季報預(yù)增紀(jì)錄新高；
德明利預(yù)計 Q1 歸母凈利潤 31.5 億至 36.5 億元，由上年同期虧損 6908.77 萬元轉(zhuǎn)為巨額盈利，營收同比增長 483% 至 523%；
海外方面，三星電子 Q1 營業(yè)利潤同比大增 755% 至約 57.2 萬億韓元，銷售額同比增 68.1%，雙雙創(chuàng)歷史新高。
SK 海力士在投資者會議上表示，內(nèi)存市場已轉(zhuǎn)向賣方市場，公司庫存僅約 4 周，難以滿足全部客戶需求。
而且，這場漲價潮并沒有消退的跡象。
據(jù) TrendForce 集邦咨詢數(shù)據(jù)，進(jìn)入 Q2，存儲價格仍在上行，預(yù)計 DRAM 環(huán)比漲 58% 至 63%，NAND Flash 環(huán)比漲 70% 至 75%。
三星電子 Q1 將 DRAM 合約價上調(diào) 100% 后，Q2 再度上漲 30%，兩季度合計漲幅高達(dá) 130%。
同時，另外一條關(guān)于存儲芯片行業(yè)的重要新聞也刷屏了。
閃迪已開始與材料、組件和設(shè)備合作伙伴接洽，以構(gòu)建 HBF（高帶寬閃存）原型生產(chǎn)線的生態(tài)系統(tǒng)，計劃于 2026 年下半年推出原型產(chǎn)品，目標(biāo)在 2027 年實現(xiàn)商業(yè)化量產(chǎn)，試點生產(chǎn)線預(yù)計下半年建成并在年底前后投入運營。
作為 AI 算力的核心存儲（HBM），閃迪 HBF 的產(chǎn)線建設(shè)也是 AI 需求持續(xù)高位的證據(jù)。
更重要的是，這場起于存儲領(lǐng)域的漲價潮，正在蔓延至全產(chǎn)業(yè)鏈。
從上游存儲芯片、模擬芯片、功率器件，到中游晶圓代工、封測，再到下游云計算、數(shù)據(jù)中心和消費電子產(chǎn)品，數(shù)十家廠商密集發(fā)布漲價通知，部分品類漲幅超過 100%。
存儲封測端也出現(xiàn)產(chǎn)能滿載跡象，力成、華東、南茂等存儲封測廠訂單涌進(jìn)，產(chǎn)能利用率直逼滿載，近期陸續(xù)調(diào)升封測價格，漲幅上看三成。
云計算方面，阿里云、百度智能云將于 4 月 18 日起同步上調(diào) AI 算力及存儲產(chǎn)品價格，最高漲幅達(dá) 34%。
02 傳導(dǎo)路徑
存儲芯片持續(xù)漲價，對整個半導(dǎo)體板塊的傳導(dǎo)路徑非常清晰：
漲價潮→企業(yè)盈利改善→擴(kuò)產(chǎn)意愿增強(qiáng)→資本開支增加→設(shè)備、原材料、零部件、配套等訂單增加
其中，對于設(shè)備板塊的傳導(dǎo)邏輯，主要集中在資本開支增加和設(shè)備訂單加速這個環(huán)節(jié)。
外資報告也指出，中國存儲廠商正積極推動產(chǎn)能擴(kuò)張，以 DRAM 為例，上海有新建 HBM 產(chǎn)線，合肥三期擴(kuò)建工程也同期推進(jìn)，武漢三期晶圓廠也計劃在 2026 年擴(kuò)建，2026 年存儲擴(kuò)產(chǎn)總量預(yù)計超過 12 萬片。
有研究機(jī)構(gòu)更直白地指出，本輪行業(yè)上行的核心驅(qū)動力來自 DRAM 與 HBM 投資超預(yù)期及中國市場的持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)，AI 基礎(chǔ)設(shè)施的設(shè)備需求正在從高端邏輯芯片向存儲、先進(jìn)封裝等環(huán)節(jié)持續(xù)傳導(dǎo)。
就以閃迪 HBF 原型產(chǎn)線建設(shè)為例，HBM 生產(chǎn)涉及 TSV 硅通孔和堆疊封裝，需要混合鍵合設(shè)備、電鍍設(shè)備、晶圓減薄設(shè)備等先進(jìn)封裝設(shè)備的支撐，這些設(shè)備成為延續(xù)芯片性能提升的關(guān)鍵。
而 SEMICON China 2026 中，集中發(fā)布的混合鍵合、TSV、Chiplet、HBM 相關(guān)設(shè)備與材料，成為支撐 AI 算力芯片先進(jìn)封裝需求，幫助國內(nèi)先進(jìn)封裝產(chǎn)業(yè)與國際接軌的重要事件。
目前，存儲正從傳統(tǒng)周期品演化為 AI 基礎(chǔ)設(shè)施中的核心戰(zhàn)略資源，HBM 新產(chǎn)線的建設(shè)，正帶動相關(guān)半導(dǎo)體設(shè)備的訂單增長。
另外，不能忽略的一個重要邏輯，在于國產(chǎn)化。
統(tǒng)計數(shù)據(jù)（口徑或有差異）顯示，中國大陸使用本土半導(dǎo)體制造設(shè)備的占比，已從 2024 年的 25% 提升至 2025 年的 35%，這種趨勢正深刻影響國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)的訂單增長。
以 DRAM 設(shè)備為，其在地化比率提升，將成為 2026 年中國本土設(shè)備商的重要訂單動能來源，先進(jìn)邏輯制程設(shè)備市占率有望于 2027 至 2028 年進(jìn)一步提升。
日系外資報告則全面上修中國半導(dǎo)體設(shè)備市場需求，將 2025 至 2027 年中國 SPE 市場規(guī)模上修 5% 至 14%，預(yù)估達(dá) 540 億至 600 億美元，主因是存儲與先進(jìn)邏輯制程擴(kuò)產(chǎn)需求強(qiáng)勁。
二級市場上，半導(dǎo)體設(shè)備 ETF 易方達(dá) ( 159558 ) 近 60 日資金凈流入 28.63 億元，最新規(guī)模 49.92 億元，年初至今日均成交額 2.8 億元，場內(nèi)交投活躍、流動性高。
半導(dǎo)體設(shè)備 ETF 易方達(dá) ( 159558 ) 跟蹤中證半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)，設(shè)備權(quán)重占比高達(dá) 64.3%，材料占比約 22.5%，兩者合計 86.8%，覆蓋光刻機(jī)、蝕刻機(jī)、薄膜沉積等關(guān)鍵設(shè)備及硅片、光刻膠等核心材料，剔除低毛利環(huán)節(jié)，相比全產(chǎn)業(yè)鏈，彈性大。
03 底層驅(qū)動
2026 年開年以來，半導(dǎo)體設(shè)備板塊持續(xù)走強(qiáng)，成為資本市場最受關(guān)注的賽道之一。
這背后，是全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額連續(xù)三年創(chuàng)新高，更是 AI 算力需求爆發(fā)、國產(chǎn)替代加速，以及半導(dǎo)體設(shè)備在產(chǎn)業(yè)鏈中的獨特屬性驅(qū)動。
先說需求。
當(dāng)前全球半導(dǎo)體設(shè)備市場的景氣上行，根本驅(qū)動力只有一個— AI。
現(xiàn)階段，AI 算力需求正從模型訓(xùn)練向推理應(yīng)用遷移，推理場景對低延遲、高帶寬的要求更高，直接推高了高性能計算芯片和 HBM 存儲的需求。
2026 年 HBM 市場規(guī)模預(yù)計同比增長 58% 至 546 億美元，三星、SK 海力士、美光三大原廠已將約 70% 新增產(chǎn)能傾斜至 HBM，帶動刻蝕、薄膜沉積等前道設(shè)備需求同步擴(kuò)張。
臺積電 2026 年資本支出大幅上調(diào)至 520 億至 560 億美元，明確釋放了全球先進(jìn)制程擴(kuò)產(chǎn)的強(qiáng)烈信號。
AI 產(chǎn)業(yè)的增長空間廣闊、周期長，是設(shè)備需求最重要也最長期的壓艙石。
再說，回到國內(nèi)，疊加多了一層國產(chǎn)化需求。
統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，2025 年國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)整體訂單金額同比增長 80%，部分頭部廠商的訂單排期已經(jīng)延伸至 2027 年。
其中，北方華創(chuàng)設(shè)備訂單超 150 億元，排期至 2027 年；中微公司刻蝕設(shè)備訂單超 45 億元，5nm 設(shè)備排期至 2027 年一季度；拓荊科技薄膜沉積設(shè)備訂單超 50 億元，排期至 2027 年二季度。
政策層面的支持力度也在持續(xù)。
大基金三期正加速流向半導(dǎo)體設(shè)備、材料等上游核心環(huán)節(jié)，注冊資本高達(dá) 3440 億元，規(guī)模遠(yuǎn)超一期和二期總和。
工信部發(fā)布《半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)發(fā)展指引》，對國產(chǎn)設(shè)備進(jìn)入晶圓廠產(chǎn)線的企業(yè)給予最高 15% 的采購補(bǔ)貼。
如果說全球 AI 需求是 β，那么國產(chǎn)替代就是 A 股半導(dǎo)體設(shè)備板塊強(qiáng) α。
最后說到，半導(dǎo)體設(shè)備有著 " 賣鏟人 " 的獨特屬性。
無論下游的芯片設(shè)計格局如何變化，無論哪家晶圓廠的制程技術(shù)領(lǐng)先，要制造芯片，就必須采購刻蝕機(jī)、薄膜沉積設(shè)備、清洗設(shè)備、測試設(shè)備，這是繞不開的剛需。
更重要的是，隨著芯片制程微縮逼近物理極限，先進(jìn)封裝成了延續(xù)芯片性能提升的關(guān)鍵。
HBM 需要 TSV 硅通孔和堆疊封裝，AI 芯片需要 2.5D/3D 封裝，這進(jìn)一步擴(kuò)大了 " 賣鏟人 " 的市場空間。
04 結(jié)語
存儲芯片業(yè)績爆發(fā)、全產(chǎn)業(yè)鏈漲價、HBM 需求激增等信號，驗證了半導(dǎo)體市場的景氣度，AI 需求則為半導(dǎo)體市場注入了長期增長的邏輯。
國產(chǎn)化率突破 35% 且仍在提升，頭部設(shè)備廠商訂單排期延伸至 2027 年，則推動了半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)的發(fā)展。
投資者應(yīng)持續(xù)跟蹤 SEMI 設(shè)備銷售額、國產(chǎn)化率季度變化、晶圓廠資本開支公告以及頭部設(shè)備企業(yè)訂單交付節(jié)奏等關(guān)鍵變量，并在當(dāng)中尋找到合適的機(jī)會。
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