文 | 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫
2026 年的半導(dǎo)體圈，正在上演一場(chǎng)現(xiàn)實(shí)版的 " 搶椅子 " 游戲。而攪動(dòng)這場(chǎng)戰(zhàn)局的核心變量，正是 AI 引爆的存儲(chǔ)需求。
邏輯變了！存儲(chǔ)廠成 EUV 大買家
在這一輪游戲中，光刻機(jī)便是這把 " 椅子 "。
近日，存儲(chǔ)芯片大廠 SK 海力士宣布將在 2027 年 12 月 31 日前向荷蘭 ASML 采購(gòu)價(jià)值 11.95 萬(wàn)億韓元（約 79.7 億美元）的極紫外光（EUV）光刻機(jī)，旨在應(yīng)對(duì)日益增長(zhǎng)的內(nèi)存芯片需求。該交易已作為正式披露文件提交給韓國(guó)監(jiān)管機(jī)構(gòu)，并成為近年來(lái) ASML 客戶公開(kāi)的最大一筆 EUV 光刻機(jī)采購(gòu)訂單。
根據(jù)預(yù)計(jì)，SK 海力士采購(gòu)的這些 EUV 光刻機(jī)將主要用于先進(jìn) DRAM 芯片和 HBM 芯片的生產(chǎn)。主要會(huì)部署在兩個(gè)晶圓廠：一個(gè)是 SK 海力士位于龍仁的新晶圓廠，該晶圓廠計(jì)劃于 2027 年 2 月投產(chǎn)；另一個(gè)則是位于清州的 M15X 工廠，該晶圓廠專門(mén)用于生產(chǎn)高帶寬內(nèi)存芯片。
伯恩斯坦公司的分析師戴維 · 道則預(yù)計(jì)，SK 海力士的這份訂單將使得其在兩年內(nèi)新增約 30 臺(tái) EUV 光刻機(jī)。這略高于其之前預(yù)測(cè)的 SK 海力士?jī)赡陜?nèi)將采購(gòu) 26 臺(tái) EUV 光刻機(jī)的數(shù)量。
無(wú)獨(dú)有偶，存儲(chǔ)龍頭三星也傳出了大舉采購(gòu)光刻機(jī)的動(dòng)作。韓國(guó)媒體 Sedaily 援引知情人士的消息報(bào)道稱，三星電子已確定向光刻機(jī)大廠 ASML 和佳能訂購(gòu)了約 70 臺(tái)光刻機(jī)，總金額高達(dá) 10 萬(wàn)億韓元（約 67 億美元），其中包含 20 臺(tái) EUV 光刻設(shè)備。不過(guò)三星方面隨后回應(yīng)稱，該消息并不屬實(shí)，公司至今尚未作出相關(guān)決策。
盡管三星的采購(gòu)傳聞未得到證實(shí)，但這一消息本身就折射出當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)對(duì)光刻機(jī)的迫切需求。
決戰(zhàn) 1c 節(jié)點(diǎn)的勝負(fù)手，壓給光刻機(jī)
在探究三星、SK 海力士?jī)纱蟠鎯?chǔ)龍頭大舉采購(gòu) EUV 光刻機(jī)的戰(zhàn)略邏輯前，需先系統(tǒng)梳理五大核心影響因素，這些因素直接決定了兩家企業(yè)的采購(gòu)規(guī)模、節(jié)奏及行業(yè)后續(xù)格局：
第一，兩大巨頭當(dāng)前 EUV 光刻機(jī)保有量。
第二，兩家公司 1c DRAM 現(xiàn)有產(chǎn)能基數(shù)、2026 年底規(guī)劃產(chǎn)能的落地路徑及產(chǎn)能爬坡節(jié)奏。
第三，不同生產(chǎn)制造能力帶來(lái)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力差異。
第四，ASML 的 EUV 產(chǎn)能供給能力、交付周期及現(xiàn)有訂單積壓情況，能否匹配兩大龍頭的擴(kuò)產(chǎn)需求。
第五，是否需要警惕 2028 年產(chǎn)能集中釋放導(dǎo)致的過(guò)剩風(fēng)險(xiǎn)？
以下是關(guān)于上述五點(diǎn)的具體分析：
存儲(chǔ)雙雄 EUV 光刻機(jī)保有量
日前，調(diào)研機(jī)構(gòu) BOFA 公布了 2021 到 2025 年為止的 EUV 光刻機(jī)數(shù)量，如下所示：
當(dāng)下，三星和 SK 海力士都已釋放擴(kuò)產(chǎn) 1c DRAM 的核心信息。
1c DRAM 現(xiàn)有產(chǎn)能基數(shù)
根據(jù)規(guī)劃，三星 1c DRAM 產(chǎn)能將在2025 年第四季度率先達(dá)到每月 6 萬(wàn)片產(chǎn)能，2026 年第二季度再新增 8 萬(wàn)片產(chǎn)能，并于 2026 年第四季進(jìn)一步擴(kuò)增 6 萬(wàn)片，屆時(shí)整體月產(chǎn)能達(dá)到 20 萬(wàn)片。具體的時(shí)間節(jié)點(diǎn)以設(shè)備完成安裝為基準(zhǔn)，目標(biāo)是在上述各個(gè)階段具備立即量產(chǎn)條件。知情人士指出：" 三星將在明年底前持續(xù)強(qiáng)化 1c DRAM 的供給能力，意在提前卡位下一代市場(chǎng)。"
SK 海力士方面，據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，SK 海力士計(jì)劃 2026 年將 1c DRAM 月產(chǎn)能從目前約 2 萬(wàn)片 300mm 晶圓提升至 16 萬(wàn)至 19 萬(wàn)片，增幅達(dá) 8 至 9 倍，占其 DRAM 總產(chǎn)能的三分之一以上。據(jù)悉，SK 海力士已將 1c DRAM 的良率提升至 80% 以上，該制程主要用于制造 DDR5、LPDDR 和 GDDR7 等最新通用 DRAM 產(chǎn)品。擴(kuò)產(chǎn)后的 1c DRAM 將主要用于滿足英偉達(dá)等大型科技公司的訂單需求。這一戰(zhàn)略調(diào)整反映出AI 推理應(yīng)用對(duì)成本效益更高的通用 DRAM 需求激增，該公司正將戰(zhàn)略重心從 HBM 擴(kuò)展至更廣泛的 AI 內(nèi)存市場(chǎng)。
分析指出，相比需要復(fù)雜堆疊工藝的 HBM，1c DRAM 的生產(chǎn)效率更高，能夠更快速響應(yīng)市場(chǎng)需求的爆發(fā)式增長(zhǎng)。
HBM 是 3D 堆疊 + 系統(tǒng)級(jí)集成方案，需通過(guò) TSV 硅通孔、超薄減薄、多層鍵合及 CoWoS 等先進(jìn)封裝技術(shù)，將多顆 DRAM Die 與基片垂直整合，技術(shù)鏈路極復(fù)雜。1cDRAM 則是 DRAM 制程的迭代升級(jí)，核心是通過(guò) 4F 單元架構(gòu)、EUV 曝光優(yōu)化實(shí)現(xiàn)單 Die 密度提升與良率改善，無(wú)需重構(gòu)產(chǎn)線，直接復(fù)用現(xiàn)有 DRAM 成熟產(chǎn)線即可量產(chǎn)。
相較于 HBM，1c DRAM 主打通用化、規(guī)模化供給，是 AI 服務(wù)器、移動(dòng)終端的核心基礎(chǔ)，同時(shí)也是 HBM4/HBM4E 的最佳核心片。SK 海力士已明確，將基于第六代 10nm 級(jí) 1c 制程 32Gb DRAM 裸片打造 HBM4E 內(nèi)存。三星同樣在推進(jìn)相關(guān)布局，其研發(fā)的 12 層堆疊（12-Hi）、16 層堆疊（16-Hi）HBM4 產(chǎn)品，均會(huì)采用 1c DRAM 技術(shù)。
三星在 2026 年 2 月宣布，已率先達(dá)成 HBM4 的量產(chǎn)，并向全球最大 AI 芯片公司英偉達(dá)發(fā)貨。 該 HBM4 將搭載于英偉達(dá)最新 Rubin GPU 中。市場(chǎng)預(yù)計(jì)，Rubin GPU 將于 2026 年下半年正式出貨，以供應(yīng)給谷歌、亞馬遜等美國(guó)科技大廠，并帶來(lái)超過(guò) 1 萬(wàn)億美元的市場(chǎng)規(guī)模。與此同時(shí)，三星也在配合 Rubin GPU 上市節(jié)奏，擴(kuò)大華城 H3 工廠 17 線，以及平澤 P3、P4 工廠的 HBM4 產(chǎn)能。
去年 9 月，SK 海力士完成 HBM4 開(kāi)發(fā)，但隨后在去年 12 月，SK 海力士宣布 HBM4 的量產(chǎn)已推遲至 2026 年 3 月或 4 月，HBM4 產(chǎn)能大幅擴(kuò)張的時(shí)間也進(jìn)行了靈活調(diào)整。SK 海力士決定至少在 2026 年上半年之前，保持 HBM3E 在所有 HBM 產(chǎn)品中最高的產(chǎn)量占比。據(jù)悉，SK 海力士在與英偉達(dá)討論 2026 年 HBM 的產(chǎn)量時(shí)，大幅增加了 HBM3E 的產(chǎn)量。
不同生產(chǎn)制造能力帶來(lái)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力差異
2025 年第一季度，SK 海力士占據(jù)了全球 DRAM 市場(chǎng) 36% 的份額，略高于三星電子的 34% 和美光的 25%。這也是 SK 海力士自 1983 年成立以來(lái)首次在全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)占據(jù)主導(dǎo)地位。
隨后在 2025 年第三季度，三星電子 DRAM 銷售額達(dá)到 139.42 億美元，環(huán)比增長(zhǎng) 29.6%，市場(chǎng)份額回升至 34.8%，重新奪回行業(yè)榜首。同期 SK 海力士以 137.9 億美元的銷售額位居第二，市場(chǎng)份額為 34.4%，與三星電子的差距僅為 0.4 個(gè)百分點(diǎn)。
三星電子業(yè)績(jī)的反彈，得益于是制造端兩大關(guān)鍵能力的集中釋放：一是 HBM 高端產(chǎn)能的快速爬坡與精準(zhǔn)交付。該公司第三季度 HBM 位單元出貨量環(huán)比激增 85%，主要由于開(kāi)始向英偉達(dá)交付第五代 HBM3E 產(chǎn)品。二是通用 DRAM 產(chǎn)能的彈性調(diào)控與價(jià)格主導(dǎo)力。人工智能數(shù)據(jù)中心對(duì)內(nèi)存需求的爆發(fā)式增長(zhǎng)，導(dǎo)致 PC 和智能手機(jī)等消費(fèi)級(jí) IT 設(shè)備的 DRAM 供應(yīng)趨緊，進(jìn)一步推高了產(chǎn)品價(jià)格。
ASML 的 EUV 產(chǎn)能供給能力
反過(guò)來(lái)思考，SK 海力士敲定 30 臺(tái) EUV 訂單、三星或可能采購(gòu) 20 臺(tái)的情況下，ASML 的產(chǎn)能能否跟上？在此之前，先來(lái)看一組 ASML 歷年光刻機(jī)的出貨量數(shù)據(jù)。
二是 2024 年出貨量較 2023 年有所下滑，2025 年雖有回升但未突破 2023 年峰值，這背后既有 ASML 產(chǎn)能調(diào)整的因素，也反映出前兩年行業(yè)擴(kuò)產(chǎn)潮后，部分企業(yè)進(jìn)入產(chǎn)能消化期，而 2025 年的回升則與 AI 驅(qū)動(dòng)下高端存儲(chǔ)、先進(jìn)邏輯芯片的需求復(fù)蘇直接相關(guān)。
SK 海力士的采購(gòu)計(jì)劃具備明確的產(chǎn)能落地支撐。上文提到，這批設(shè)備將分別部署在清州 M15X 工廠和在建的龍仁半導(dǎo)體集群，其中龍仁基地的首座潔凈室啟用時(shí)間已從 2027 年 5 月提前至 2027 年 2 月，與設(shè)備交付節(jié)奏高度匹配。若三星也計(jì)劃采購(gòu) 20 臺(tái) EUV，且同樣計(jì)劃在 2027 年底前交付，那么 SK 海力士與三星的訂單合計(jì)將達(dá)到 50 臺(tái)，占 ASML 兩年產(chǎn)能的一半以上，這將大幅擠壓臺(tái)積電、英特爾等其他頭部客戶的產(chǎn)能配額。
還需注意的是，日前 ASML 在財(cái)報(bào)中寫(xiě)道，截至 2025 年底，公司積壓在手訂單達(dá) 388 億歐元，其中 EUV 系統(tǒng)積壓訂單達(dá) 255 億歐元，占比 65%。其中或許包含 SK 海力士的已下訂單，因此倘若三星和 SK 海力士均在當(dāng)下向 ASML 追加大量 EUV 訂單，短期內(nèi)也難以獲得充足的產(chǎn)能配額。
2028 年，產(chǎn)能過(guò)剩？
據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，三星內(nèi)部預(yù)計(jì)本輪存儲(chǔ)短缺將于 2028 年前后趨于緩解，并據(jù)此校準(zhǔn)投資節(jié)奏，以避免重蹈過(guò)度擴(kuò)張的覆轍。與此同時(shí)，SK 海力士亦多次公開(kāi)表態(tài)，將以實(shí)際需求而非樂(lè)觀預(yù)期作為擴(kuò)產(chǎn)依據(jù)。然而 EUV 光刻機(jī)的產(chǎn)能存在硬約束，當(dāng)下不搶購(gòu)，未來(lái)幾年將徹底失去高端賽道的競(jìng)爭(zhēng)力。
因此，三星與 SK 海力士當(dāng)下大量采購(gòu) EUV 光刻機(jī)，與警惕 2028 年產(chǎn)能過(guò)剩并不矛盾。警惕 2028 年過(guò)剩，是著眼于遠(yuǎn)期的風(fēng)險(xiǎn)防控；而現(xiàn)在搶購(gòu) EUV，則是應(yīng)對(duì)近期市場(chǎng)剛需、應(yīng)對(duì)行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)、推進(jìn)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)升級(jí)的必然選擇。
DRAM 技術(shù)下一步，該搶什么？
長(zhǎng)期以來(lái)，DRAM 的密度提升高度依賴于制程微縮，這使得對(duì) EUV 等高端光刻機(jī)的投入成為剛性需求。
隨著 3D 堆疊存儲(chǔ)的發(fā)展，3D NAND 為提升存儲(chǔ)密度，將存儲(chǔ)單元垂直堆疊，層數(shù)不斷增加，目前主流產(chǎn)品已超過(guò) 300 層，未來(lái)還將向 1000 層邁進(jìn)。DRAM 未來(lái)也有類似的 3D 堆疊層數(shù)的技術(shù)路線圖。這種技術(shù)路徑的轉(zhuǎn)變，意味著廠商對(duì)光刻精度的極致追求將有所放緩，進(jìn)而削弱對(duì) EUV 光刻機(jī)的需求。
相應(yīng)的對(duì)刻蝕設(shè)備的需求量和性能要求呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，比如從 32 層提高到 128 層時(shí)，刻蝕設(shè)備用量占比從 35% 提升至 48%。此外，近存計(jì)算方案的發(fā)展增加了 TSV 刻蝕需求，TSV 工藝中刻蝕和填充設(shè)備占比接近 70%，進(jìn)一步增加了刻蝕設(shè)備的需求。同時(shí)，3D NAND 堆疊層數(shù)不斷增加，每層薄膜厚度要求嚴(yán)苛，ALD 與 CVD 協(xié)同工藝成為主流，這都對(duì)薄膜沉積設(shè)備提出了更高要求。
因此，半導(dǎo)體制造的未來(lái)重點(diǎn)，或?qū)膯渭円揽抗饪虣C(jī)縮小特征尺寸，轉(zhuǎn)向更復(fù)雜關(guān)鍵的刻蝕與薄膜沉積工藝。DRAM 對(duì)光刻機(jī)的依賴程度，也將明顯低于當(dāng)前水平。
