黃仁勛的 " 金手指 " 點到納微半導(dǎo)體，當(dāng)?shù)貢r間 6 月 3 日，該公司宣布與英偉達(dá) MGX 生態(tài)系統(tǒng)合作，加速 800 伏直流人工智能基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)。
截至美股周三（6 月 3 日）收盤，納微半導(dǎo)體（NVTS.US）股價收漲 19.26%，股價創(chuàng)上市以來新高，過去一年該公司股價累計漲幅超三倍，目前總市值 72.08 億美元。據(jù)其此前公布的 2026 財年第一季度，當(dāng)期營收為 860 萬美元，超出市場預(yù)期。
納微半導(dǎo)體于 5 月 29 日在 COMPUTEX 2026 上展示的 800V 至 6V 直流 - 直流電源分配板（PDB），正是這一合作的具體落地產(chǎn)品。
該產(chǎn)品專為英偉達(dá)新一代 AI 數(shù)據(jù)中心 800 VDC 機架架構(gòu)設(shè)計，旨在提升系統(tǒng)效率與功率密度。
其最大亮點是省去傳統(tǒng) 48V 中間總線轉(zhuǎn)換模塊，依托 16 顆自研 GaNFast 氮化鎵芯片實現(xiàn) 800V 直降 6V，峰值供電效率 97.5%、功率密度達(dá) 2100W/ 立方英寸，板體厚度較智能手機薄兩成，可近距離貼合 GPU 布設(shè)，大幅縮減布線損耗與機房空間占用。
該產(chǎn)品對 AI 電力系統(tǒng)具備關(guān)鍵支撐作用。800 VDC 架構(gòu)可降低線纜銅耗、壓縮機房配電成本，而納微半導(dǎo)體的氮化鎵 + 碳化硅方案是整套高壓配電落地的硬件基礎(chǔ)，能夠解決巨型 AI 工廠多 GPU 集群瞬時功耗波動大、供電損耗偏高的行業(yè)痛點，幫助數(shù)據(jù)中心壓縮配電綜合能耗，適配吉瓦級 AI 算力園區(qū)規(guī)模化落地需求。
納微半導(dǎo)體首席執(zhí)行官 Chris Allexandre 表示，隨著 AI 工作負(fù)載持續(xù)擴展，電力傳輸已成為構(gòu)建下一代吉瓦級 AI 工廠最關(guān)鍵的挑戰(zhàn)之一。
納微半導(dǎo)體專注于氮化鎵和碳化硅第三代功率半導(dǎo)體，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于 AI 電源領(lǐng)域，可提供從電網(wǎng)接入到芯片的完整供電方案，是 AI 浪潮中 " 電力革命 " 這一細(xì)分賽道的代表性企業(yè)。
AI 工作負(fù)載對電力的需求將達(dá)到傳統(tǒng)計算的 100 至 1000 倍，對供電架構(gòu)提出了前所未有的挑戰(zhàn)，這一背景下，納微半導(dǎo)體正從傳統(tǒng)的消費電子與移動市場，轉(zhuǎn)向高增長、高利潤的高功率應(yīng)用領(lǐng)域，包括 AI 數(shù)據(jù)中心、能源與電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施等。
其 GaNFast 氮化鎵技術(shù)實現(xiàn)了 800V 直接到 6V 的降壓轉(zhuǎn)換，消除中間 48V 總線轉(zhuǎn)換器環(huán)節(jié)，目標(biāo)峰值效率達(dá) 97.5%，功率密度高達(dá) 2100W/in ；在碳化硅（SiC）方向，該公司的 GeneSiC 解決方案支持從電網(wǎng)到 AI 計算機架的高效電力傳輸，涵蓋采用 2300 V 和 3300 V SiC 功率模塊的固態(tài)變壓器，以及基于第五代技術(shù) 1200 V SiC MOSFET 的高功率三相電源供應(yīng)單元。
