目前全球內(nèi)存產(chǎn)能正快速向人工智能（AI）應(yīng)用傾斜，大量 DRAM 產(chǎn)線轉(zhuǎn)向生產(chǎn)高帶寬內(nèi)存（HBM），導(dǎo)致原本供應(yīng)智能手機(jī)的內(nèi)存資源遭到排擠，不僅供應(yīng)趨緊，也推升整體成本壓力，對(duì)中低端機(jī)型影響尤為明顯。
在成本結(jié)構(gòu)方面，內(nèi)存已成為影響手機(jī)價(jià)格的關(guān)鍵因素。以入門機(jī)型為例，DRAM 成本占整體物料成本（BOM）約 35%，NAND 則約占 19%，兩者合計(jì)達(dá) 54%，使品牌廠在定價(jià)與出貨策略上面臨更大壓力。
另一方面，高通先前在財(cái)報(bào)會(huì)議中指出，其系統(tǒng)單芯片（SoC）所搭配的 DRAM 多由客戶自行采購，但公司已完成與主要內(nèi)存供應(yīng)商的相容性驗(yàn)證。此次進(jìn)一步與長鑫存儲(chǔ)合作開發(fā)定制化內(nèi)存，顯示其正試圖在供應(yīng)不確定性升高的環(huán)境下，提前布局關(guān)鍵零組件資源。
此外，聯(lián)發(fā)科與高通近期亦傳出下調(diào) 4 納米芯片產(chǎn)量。由于該制程產(chǎn)品主要應(yīng)用于中低端智能手機(jī)，減產(chǎn)規(guī)模約為 2 萬至 3 萬片晶圓。
報(bào)道指出，高通與長鑫存儲(chǔ)推動(dòng)此項(xiàng)合作，被視為穩(wěn)定訂單與供應(yīng)節(jié)奏的重要策略，同時(shí)也反映芯片業(yè)者正逐步強(qiáng)化對(duì)關(guān)鍵元件的掌控。不過，相關(guān)內(nèi)存產(chǎn)品初期預(yù)料仍將以中國品牌智能手機(jī)為主要導(dǎo)入對(duì)象。
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