HBM（高帶寬存儲器）是 AI 加速芯片的核心配套部件，其帶寬與容量直接決定 AI 訓練與推理的效率。當前，HBM 市場由三星、SK 海力士和美光主導，此前 SK 海力士在 HBM3 及 HBM3E 階段占據(jù)顯著先發(fā)優(yōu)勢。

三星自 2015 年切入 HBM 賽道，產(chǎn)品已歷經(jīng)十代迭代，2026 年 2 月，三星量產(chǎn) HBM4，是全球首家完成 HBM4 量產(chǎn)的企業(yè)。

據(jù)三星介紹，作為 HBM4 的迭代升級產(chǎn)品，12 層 HBM4E 采用第六代 10 納米 ( nm ) 級 DRAM 工藝 ( 1c ) 和三星晶圓代工的 4nm 邏輯基片，在性能、容量、能效與散熱方面均有大幅提升，專為大模型、生成式 AI 及高性能計算場景打造，與 HBM4 相比——

性能：其 HBM4E 可提供穩(wěn)定的 14 Gbps 引腳傳輸速度，性能可擴展至 16Gbps，以滿足日益增長的數(shù)據(jù)處理需求；與 HBM4 相比，性能提升超過 20%，同時每個堆棧的內(nèi)存帶寬高達 3.6TB/s，有助于最大限度地提高大模型和下一代人工智能系統(tǒng)的計算性能。

容量：HBM4E 提供 48GB 的容量，比上一代產(chǎn)品增加了 30% 以上，并計劃根據(jù)客戶需求擴展產(chǎn)品線，包括 32GB（8 層）和 64GB（16 層）配置。

能效和散熱：低功耗設計與封裝優(yōu)化使能效提升 16%，熱阻改善超 14%，散熱效率顯著增強，可降低 AI 數(shù)據(jù)中心高負載能耗。

HBM 市場上，三星、SK 海力士、美光正你追我趕，呈現(xiàn)三足鼎立格局。

作為當前 HBM 市場的份額領導者，SK 海力士的 HBM4 于 2025 年 9 月量產(chǎn)；HBM4E 計劃 2026 年下半年送樣、2027 年量產(chǎn)，其 HBM4E 將采用基于 1c nm 制程的 DRAM 裸片，基礎裸片則由臺積電采用 3nm 工藝生產(chǎn)；美光的 HBM4 產(chǎn)能爬坡進展順利，計劃于 2027 年量產(chǎn) HBM4E，消息稱其 HBM4E 將采用 10 納米級第六代 1 γ 工藝，這是美光首次在量產(chǎn)工藝中引入 EUV 光刻設備，基礎裸片將委托臺積電制造。

TrendForce 分析指出，上述三大供應商正逐步將產(chǎn)業(yè)重心由良率競爭轉(zhuǎn)向定價權(quán)與下世代規(guī)格主導，雖傳統(tǒng) DRAM 利潤率短期反超 HBM，供貨商仍維持均衡產(chǎn)品組合，并看好 HBM 長期合約價走高，橫向?qū)Ρ葋砜?，當前?HBM 以外的各類 DDR 及消費級存儲，歷經(jīng)前期多輪漲價后價格已整體處于相對高位，而 HBM 的漲價紅利尚未充分釋放。

海通國際證券稱，伴隨 2027 年全球 AI 服務器出貨量持續(xù)高增、HBM3e/HBM4 迭代滲透提速，疊加先進封裝與良率瓶頸仍持續(xù)約束供給釋放，看好 HBM 后續(xù)漲價預期。