近日，蘇州漢驊半導(dǎo)體有限公司基于 8 寸硅基氮化鎵（GaN）LED 外延技術(shù)與自主無(wú)損去硅工藝，在 " 超越摩爾 GaN Plus" 平臺(tái)上，成功建成與 8 寸 CMOS 半導(dǎo)體工藝高度兼容的 Micro-LED 標(biāo)準(zhǔn)工藝量產(chǎn)平臺(tái)，全面貫通氮化鎵外延、無(wú)損去硅、薄膜集成至 CMOS 工藝、微顯示器件全流程鏈路，突破 Micro-LED 產(chǎn)業(yè)化核心技術(shù)瓶頸，為 AR/VR 等近眼顯示規(guī)模化應(yīng)用奠定關(guān)鍵基礎(chǔ)。

氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體核心材料，是 Micro-LED 微顯示技術(shù)的關(guān)鍵支撐。但氮化鎵發(fā)光單元與硅基 CMOS 驅(qū)動(dòng)電路的高效集成難題，長(zhǎng)期制約 AR/VR 等近眼顯示產(chǎn)品商業(yè)化進(jìn)程，其本質(zhì)是不同材料體系間的三維異構(gòu)集成技術(shù)壁壘。

漢驊半導(dǎo)體此次建成的 8 寸標(biāo)準(zhǔn)工藝平臺(tái)，核心突破在于打通材料與工藝的 " 異構(gòu)集成 " 通道。依托自主研發(fā)的晶圓級(jí)無(wú)損去硅技術(shù)，團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn) 8 寸硅片上氮化鎵薄膜完整剝離與精準(zhǔn)轉(zhuǎn)移，工藝窗口全面對(duì)標(biāo)主流 8 寸 CMOS 產(chǎn)線標(biāo)準(zhǔn)，實(shí)現(xiàn)發(fā)光陣列與驅(qū)動(dòng)芯片的晶圓級(jí)鍵合及協(xié)同制造。早在 2025 年，公司已實(shí)現(xiàn) 3.75 微米間距混合鍵合量產(chǎn)，鍵合成品率超 95%，為高密度微顯示陣列規(guī)模化制造提供核心工藝保障。

目前，該平臺(tái)已具備紅、藍(lán)、綠多波長(zhǎng)發(fā)光結(jié)構(gòu)工藝能力，可支撐超高像素密度微顯示陣列制備，滿足近眼顯示、光互聯(lián)、數(shù)字車燈、AI 電源管理等前沿應(yīng)用核心器件需求。平臺(tái)面向產(chǎn)業(yè)開(kāi)放代工與聯(lián)合開(kāi)發(fā)服務(wù)，提供類半導(dǎo)體工藝設(shè)計(jì)套件（PDK）標(biāo)準(zhǔn)化接口，覆蓋設(shè)計(jì)、驗(yàn)證至量產(chǎn)全環(huán)節(jié)協(xié)同創(chuàng)新。

作為長(zhǎng)三角國(guó)創(chuàng)中心首個(gè) " 撥投結(jié)合 " 模式支持的重大項(xiàng)目，漢驊半導(dǎo)體自 2017 年深耕異質(zhì)異構(gòu)集成領(lǐng)域，擁有國(guó)內(nèi)唯一 "GaN Plus 3DIC" 全流程工藝平臺(tái)。此次 8 寸硅基氮化鎵 Micro-LED 標(biāo)準(zhǔn)工藝平臺(tái)落地，不僅為國(guó)內(nèi)化合物半導(dǎo)體與集成電路異質(zhì)集成提供可復(fù)制技術(shù)路徑，更契合后摩爾時(shí)代系統(tǒng)級(jí)集成發(fā)展方向，為下一代人機(jī)交互終端關(guān)鍵部件國(guó)產(chǎn)化筑牢工藝根基。

未來(lái)，該平臺(tái)將持續(xù)向更高像素密度、更小像素尺寸迭代，探索多波長(zhǎng)外延與色轉(zhuǎn)換融合的全色方案，進(jìn)一步推動(dòng) Micro-LED 在消費(fèi)電子、車載顯示、特種應(yīng)用等領(lǐng)域規(guī)模化落地。