報告核心指出，當前存儲周期已由傳統(tǒng)消費電子驅(qū)動轉(zhuǎn)向AI 算力需求主導(dǎo)，行業(yè)從周期性向成長性轉(zhuǎn)變，供需緊張將持續(xù)至 2027 年，2026 年存儲價格有望全年上漲，國內(nèi)利基存儲廠商顯著受益。

一、周期核心差異：AI 重構(gòu)存儲需求邏輯

本輪存儲周期與過往本質(zhì)不同，驅(qū)動力從消費電子切換為AI 訓(xùn)練與推理需求，存儲成為 AI 系統(tǒng)核心戰(zhàn)略資源。全球云服務(wù)商（CSP）持續(xù)加碼 AI 基建，單顆 GPU 搭載的 HBM、DRAM、企業(yè)級 SSD 容量大幅提升，AI 生成的海量數(shù)據(jù)持續(xù)推高存儲需求，其拉動效應(yīng)遠超消費電子下滑的負面影響。預(yù)計 2026 年全球八大 CSP 資本支出超 7100 億美元，同比增 61%，2027 年后仍有望維持高增長。

二、供給端：產(chǎn)能擴張有限，產(chǎn)能向高端傾斜

海外存儲大廠 2026 年擴產(chǎn)幅度極小，新增產(chǎn)能集中在 2027 年下半年釋放。DRAM 領(lǐng)域僅三星平澤 P4、海力士清州 M15X 小幅擴產(chǎn)；NAND 領(lǐng)域僅有鎧俠 K2、三星西安 X2 等少量產(chǎn)線擴產(chǎn)。廠商資本開支全面聚焦HBM、DDR5、企業(yè)級 SSD等高附加值產(chǎn)品，主動收縮消費電子存儲產(chǎn)能，HBM 產(chǎn)能占比提升進一步擠占傳統(tǒng) DRAM 供給，行業(yè)供給彈性極低。

三、供需格局：持續(xù)緊缺，缺口明確

經(jīng)測算，2026-2027 年存儲市場維持供需緊平衡：

NAND：2026 年需求 1130EB、供給 1071EB，缺口 5.26%；2027 年缺口 3.60%。

DRAM：2026 年需求 52EB、供給 48EB，缺口 7.22%；2027 年缺口 1.77%。

海外大廠庫存維持低位，三星、海力士、美光庫存周轉(zhuǎn)天數(shù)處于健康水平，進一步加劇供給緊張。

四、價格走勢：2026 年全年上漲

AI 需求支撐下，存儲價格漲勢貫穿 2026 年。2026 年二季度，常規(guī) DRAM 合約價環(huán)比漲 58%-63%，NAND Flash 環(huán)比漲 70%-75%。原廠掌握定價權(quán)，雖 Q2 漲幅較 Q1 略有放緩，但絕對價格持續(xù)上行，訂單能見度高且重復(fù)下單概率低，長期合約訂單成為主流。

五、技術(shù)與投資機會

技術(shù)層面，HBM 迭代升級、HBF 新型存儲技術(shù)逐步落地，高端存儲技術(shù)迭代加速。投資端，海外大廠退出利基存儲市場，國內(nèi)廠商充分受益，重點關(guān)注兆易創(chuàng)新、北京君正、普冉股份、東芯股份、恒爍股份等，其利基 DRAM、NOR Flash、SLC NAND 產(chǎn)品受益于供給收縮與價格上漲，車規(guī)、工業(yè)級存儲及企業(yè)級 SSD 業(yè)務(wù)成長空間廣闊。

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