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充電頭網(wǎng) 16小時前

華源智信推出合封 GaN 芯片 HYC3688H

充電頭網(wǎng)最近從拆解中發(fā)現(xiàn)華源智信推出的合封氮化鎵芯片 HYC3688H。

該芯片是一款集成 PWM 控制器、SenseFET 電流檢測以及 GaN 功率器件的三合一反激控制器,內(nèi)部集成 700V DGaN,適用于 USB PD 充電器、筆記本電腦適配器、電視 / 顯示器電源等應用。

HYC3688H 采用 PWM+SenseFET+GaN 三合一架構(gòu),內(nèi)部集成 700V DGaN,并支持通過 SenseFET 實現(xiàn)無損電流檢測。

相比傳統(tǒng)反激電源中常見的采樣電阻檢測方案,HYC3688H 可減少采樣損耗,有助于進一步提升整機效率,同時減少外圍器件數(shù)量,降低系統(tǒng)成本。

這款芯片還集成高壓啟動功能,支持 5V-80V 寬 VCC 工作范圍,并內(nèi)置 LDO 供電 PWM 控制器,能夠滿足小體積電源對高集成度和穩(wěn)定供電的需求。

在驅(qū)動與 EMI 優(yōu)化方面,HYC3688H 采用華源智信專利 D-GaN 驅(qū)動技術(shù),并支持可調(diào)節(jié)開關(guān)速度,有助于改善輻射 EMI 特性,為小型化氮化鎵電源設(shè)計提供便利。

同時,HYC3688H 可搭配華源智信同步整流芯片使用,支持系統(tǒng)可靠工作在 CCM、QR、DCM 等多種模式下,兼顧不同負載條件下的效率表現(xiàn)和工作穩(wěn)定性。

HYC3688H 采用 DFN 6 × 8-30L 封裝,為了提升系統(tǒng)可靠性,該芯片內(nèi)部還提供了豐富的保護功能,包括輸出過壓保護、變壓器飽和保護、VCC 過壓保護、過載保護、掉電保護以及芯片過溫保護等,可在異常工況下為電源系統(tǒng)提供安全保障。

充電頭網(wǎng)此前在拆解綠聯(lián)指尖湃 45W 氮化鎵快充充電器時發(fā)現(xiàn),其內(nèi)部電源主控芯片采用華源智信 HYC3688H。

憑借高集成度設(shè)計,HYC3688H 可減少外圍元器件數(shù)量,并配合綠聯(lián)內(nèi)部堆疊結(jié)構(gòu),助力這款 45W 氮化鎵充電器實現(xiàn)小體積、高功率密度設(shè)計。

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HYC3688H 這類合封氮化鎵芯片的優(yōu)勢很直接,就是把控制、電流檢測和 GaN 功率器件集成到一起,讓電源方案更簡潔。

對于快充電源來說,體積、效率、成本和可靠性往往需要同時兼顧。HYC3688H 通過三合一架構(gòu)減少外圍器件,同時引入無損電流檢測、700V DGaN 以及多重保護功能,能夠幫助廠商更快做出小體積、高效率的電源產(chǎn)品。

從充電頭網(wǎng)這么多年拆解和行業(yè)經(jīng)驗來看,當前國產(chǎn)氮化鎵電源芯片逐步走向更高集成度的系統(tǒng)級方案。華源智信 HYC3688H 的推出,也為 USB PD 充電器、適配器等產(chǎn)品的小型化設(shè)計提供了新的選擇。

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本次大會匯聚全球頭部充電寶品牌、核心芯片廠商、重要電芯企業(yè)及行業(yè)技術(shù)專家,聚焦快充技術(shù)、新型電池技術(shù)等關(guān)鍵議題展開深度研討,共同研判下一代移動便攜儲能技術(shù)發(fā)展趨勢。

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