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（來源：愛集微）
4 月 17 日，長電科技宣布成功完成基于玻璃通孔（TGV）結(jié)構(gòu)與光敏聚酰亞胺（PSPI）再布線（RDL）工藝的晶圓級射頻集成無源器件（IPD）工藝驗證，通過測試結(jié)構(gòu)的試制與實測評估，公司驗證了在玻璃基底上構(gòu)建三維集成無源器件的可制造性與性能優(yōu)勢，為 5G 及面向 6G 的更寬帶寬射頻前端與系統(tǒng)級封裝優(yōu)化提供了新的工程化路徑。
長電科技基于 TGV 構(gòu)建 3D 互連骨架，在玻璃基板上實現(xiàn)電感、電容等關(guān)鍵無源結(jié)構(gòu)的集成，并將傳統(tǒng)平面電感升級為 3D 結(jié)構(gòu)，以降低高頻損耗并提升器件品質(zhì)因數(shù)（Q 值）。在對比評估中，3D 電感在 Q 值等關(guān)鍵指標(biāo)上實現(xiàn)顯著提升，在既定測試條件下較同等電感值的平面結(jié)構(gòu)提升接近 50%。同時，整體性能表現(xiàn)優(yōu)于硅基 IPD 技術(shù)路線，為射頻模組的小型化、高集成度與性能指標(biāo)提升提供了可行的工程方向。
長電科技副總裁、技術(shù)服務(wù)事業(yè)部總經(jīng)理吳伯平表示：" 面向 AI 算力芯片的迭代躍遷與 6G 通信的前瞻布局，長電科技將加速推進玻璃基 TGV 與 PSPI 晶圓級 IPD 技術(shù)在射頻系統(tǒng)級封裝中的工程化落地。我們將深化與頭部客戶及產(chǎn)業(yè)鏈伙伴的協(xié)同創(chuàng)新，通過聯(lián)合開發(fā)與驗證，推動相關(guān)技術(shù)走向規(guī)?；慨a(chǎn)，為下一代邊緣計算和無線連接提供更高性能、更高集成度的系統(tǒng)級解決方案。"
